近日，国内芯片领域传来重大突破性消息——谦合益邦自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功完成回片并点亮，这一成果标志着该技术正式从理论验证迈向实际工程应用，为我国芯片产业发展注入强劲动力。
谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早专注于3D存算一体、三维集成原生芯片架构以及云游戏加速应用的芯片企业。其核心团队早在2018年便极具前瞻性地启动了基于3D DRAM存算一体架构的芯片研发与量产探索工作。当时，“存算一体”还仅仅停留在学术概念层面，而该团队已率先入局，历经六年时间，经过多轮流片、不断试错以及架构迭代，成功积累了行业稀缺的技术壁垒。
此次成功点亮的芯片采用了谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构，在全球范围内首次实现了4层DRAM在垂直方向的高密度堆叠。这种创新设计将计算单元与存储单元在三维空间深度融合，从架构层面成功突破了传统平面设计下“内存墙”的瓶颈限制。
该芯片采用“4 + 1”三维堆叠结构，以逻辑层作为基底，在其之上垂直堆叠4层DRAM。这种结构极大地拓展了存储带宽与容量上限，因为堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的资源就越丰富。然而，每增加一层堆叠，工程上所面临的挑战呈指数级上升，层间对准精度、垂直互连一致性以及散热控制等每一个环节都逼近设计与工艺的极限。此次“4 + 1”架构的成功实现，意味着谦合益邦在三维集成原生计算架构的工程化能力上成功迈过了4层堆叠的关键门槛，是我国在该领域取得的重大技术突破。
得益于全新的架构设计，这款芯片实现了性能的系统性跃升。数据访存带宽相较于传统方案提升了一个数量级，访存功耗与延时降低了一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升了一个数量级，同时单次处理成本也同步下降了一个数量级。这四项关键指标的同步突破，为云游戏等大规模并行计算与高并发数据流场景提供了全新的硬件加速范式。
在产业链协同方面，谦合益邦联合国内产业链伙伴，从架构定义、前后端设计，到先进3D封装与晶圆制造，打通了全流程闭环，实现了核心技术的自主可控。近期，公司更是完成了超20亿元的B轮融资，长期股东及合作伙伴网易有道与中国移动链长基金在业务层面深度协同，为芯片的规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。
